Ultračistý тетрахлорид кремния (ultračistý trichlorsilan)

Тетрахлорид кремния — это продукт с чистотой выше 99,99 %.

Наибольшее количество тетрахлорида кремния в ультрачистой форме используется при производстве поликремния, а также для химического осаждения из паровой фазы эпитаксиальных слоёв кремния или карбида кремния в полупроводниковой промышленности или в электронике. После очистки до качества >6N тетрахлорид кремния является прекурсором поликремния для фотоэлектрических панелей или полупроводниковых применений. Тетрахлорид кремния является отличным газообразным прекурсором при производстве кремниевых слоёв. Доминирующим путём во время осаждения является (a) хемосорбция *SiCl2 на поверхности кремния и десорбция хлороводорода с поверхности кремния: SiHCl3 → HCl + *SiCl2 и (b) восстановление *SiCl2 водородом: *SiCl2 + H2 → Si + 2HCl. Ультрачистый тетрахлорид кремния также используется для производства эпитаксиальных слоёв карбида кремния.